微软将在Windows 11中为开发者带来块克隆 大文件复制速度提升94%

摘要：在 Build 2024 开发者大会上微软宣布将对 Dev Drive 进行重大改进，其中最值得关注的莫过于新的文件系统块克隆功能，该功能可以大幅度提高大型文件的复制速度。Dev Drive (开发驱动器) 是微软在 Build 2023 上推出的，这是一种专门为开发者提供的新型存储方案，可以提高文件系统性能并在加快编译速度等。 尽管开发驱动器在操作大量小文件时已经有着不错的性能提升，不过大文件的复制速度还是个问题，所以微软这次准备了块克隆功能，新的块克隆功能将在 Windows 11 24H2 版中提供。下面是块克隆与普通 NTFS 文件系统的对比：复制 10GB 文件：NTFS 系统需要 7.964 秒，块克隆仅需 641 毫秒复制 1GB 文件：NTFS 系统需要 681 毫秒，块克隆仅需 38 毫秒复制 1MB 文件：NTFS 系统需要 11 毫秒，块克隆仅需 9 毫秒复制 18GB 的文件夹 (里面有 5800 个大小文件)：NTFS 系统需要 30.867 秒，块克隆仅需 6.306 秒可以看出来无论是复制大文件还是复制具有大量小文件的大型文件夹，开发驱动器的块克隆功能都具有无与伦比的性能，这可以大幅度缩短开发者日常操作时花费的时间，提升操作效率。此次更新微软还为开发驱动器带来新的环境部分，这个新功能就像是远程桌面客户端，可以连接并管理位于网络中的 Hyper-V 虚拟机和 Microsoft Dev Box 等。连接这些设备后可以创建开发环境、拍摄快照、启动或停止虚拟机、将其固定到开始菜单和任务栏等等。有关更多内容开发者可以访问微软官方博客：https://blogs.windows.com/windowsdeveloper/2024/05/21/unlock-a-new-era-of-innovation-with-windows-copilot-runtime-and-copilot-pcs/ 原文：微软将在Windows 11中为开发者带来块克隆 大文件复制速度提升94%

更强、更快、更轻：研究人员为电动汽车研发更高性能的新型钢材

摘要：为了推动汽车去碳化，大阪都立大学的一个研究小组计算探索包括钛在内的 12 种金属如何与氮或碳形成键合，分析了钛等合金元素如何通过优化粘合过程来提高钢的性能，从而有助于生产更轻、更耐用的电动马达。 汽车去碳化包括从汽油发动机过渡到电动机，并采用高质量的钢制部件，以减轻汽车重量，同时确保电动机的高效运行。高性能钢材料可以提高乘坐的安静性，并能承受电机高速旋转带来的磨损。优化钢材改性工艺（包括在表面富集碳、氮和合金元素）是生产这些先进材料的关键。为了了解钢中元素之间的相互作用，信息学研究生院副教授上杉德辉领导的大阪都立大学研究小组开展了一项系统调查。该研究小组对包括铝和钛在内的 12 种合金元素在渗碳过程中与碳以及在氮化过程中与氮的相互作用进行了 120 种组合的理论计算。铁钛合金钢中氮和钛的稳定构型模型。资料来源：大阪都立大学结果表明，当钛以特定的排列方式放置时，它会与氮或碳结合，使铁变硬。研究小组的分析数据还表明，合金元素的金属半径必须大于铁原子，才能很好地结合在一起。上杉教授说："虽然从大量计算结果中阐明机理并非易事，但我们通过反复试验，采用了多元线性回归和分层分析法。这些结果有望有助于更好地理解钢材强化和提高耐久性的机理，并有助于开发出更优质的材料。"编译来源：ScitechDailyDOI: 10.2355/isijinternational.ISIJINT-2024-062资助：文部科学省计划：数据创建和利用型材料研究与开发项目、ISIJ 研究促进补助金、日本学术振兴会、轻金属教育基金会、日本科学技术振兴机构 原文：更强、更快、更轻：研究人员为电动汽车研发更高性能的新型钢材

贾跃亭回应负面评价：没太多关心 终有一天FF会回到中国

摘要：贾跃亭已经在美国造车7年，虽然如今FF 91已经交付，但全球范围内也只有十几台，甚至前不久还全部召回。自从贾跃亭赴美之后，网络上各种吐槽、谩骂不断，但他本人却从来没有进行过任何回应，也没表达过太多委屈。 近日在一次访谈中，贾跃亭回应了这些年的负面评价，称自己刚开始确实有生气，但是几年之后就没有太多的关心了，更别提会在意和生气了。贾跃亭还表示：“这些年来我认为是清者自清，不需要解释太多，大家都是有智慧的。随着时间的推移，真相会渐渐让大家们了解，可能现在的互联网时代确实不太一样。”这次他还透露，自己个人对FF投入了7亿美金的资金，后续几轮融资之后增加了30多亿美金。贾跃亭称，目前FF并不需要太多资金投入，只是需要将现金流转正就能维持正常运营，这可能只是某些友商一个季度的资金就能做到。 原文：贾跃亭回应负面评价：没太多关心 终有一天FF会回到中国

连年干旱已被逆转 卫星拍摄到加州最大水库水域面积的明显反弹

摘要：加州最大的水库连续第二年蓄满了近 100% 的水。在连续潮湿的冬季之后，北加州的沙斯塔湖（Shasta Lake）连续第二年达到满负荷，赶上了 2024 年的夏季。作为该州最大的水库，它对灌溉、市政供水、防洪等至关重要，它在2023 年春季也接近储备了 100% 的容量。连续几年的健康蓄水标志着该州从 2019 年至 2022 年的干旱和低水位中显著恢复过来。 2022 年 4 月 24 日大地遥感卫星 9 号上的陆地成像仪 2 号拍摄的沙斯塔湖卫星图像。2024 年 5 月 7 日大地遥感卫星 8 号上的陆地成像仪拍摄的沙斯塔湖卫星图像。2024 年 5 月 7 日，大地遥感卫星 8 号（Landsat 8）上的陆地成像仪（OLI）拍摄到了上图（下图）中的沙斯塔湖，显示该湖总容量为 96%，是该日期平均值的 114%。相比之下，大地遥感卫星 9 号于 2022 年 4 月 24 日拍摄的上图（上图）显示该湖的容量仅为 39%。那年 5 月，水库的蓄水量仅为全年总蓄水量的40%。从 2019 年开始，长期的极端干旱导致水库水位连续数年处于低位。但在 2023 年的最初几个月，暴雨和山区积雪带来的融水使水库水位显著回升。到当年 5 月 29 日，湖泊蓄满了 98% 的容量。2022 年湖泊周边可见的棕褐色边缘（或称"浴缸环"）已经消失。2024 年 1 月中旬，随着满载水汽的风暴穿过该地区，沙斯塔湖的水位再次开始快速上升。但如图所示，2024 年年初的湖泊水位要比 2023 年高得多。据新闻报道，到 2024 年 2 月中旬，官员们认为水库在当时"过高"。负责管理大坝的美国垦务局临时将放水量增加到冬季基线放水量的七倍之多，以便为未来的暴风雨创造水流空间，并将下游的洪水风险降至最低。这是自 2019 年以来，管理人员首次不得不采取这种防洪措施。2024 年初的降雨给加州的其他供水带来了福音。该州第二大水库奥罗维尔湖也连续第二年达到满负荷。即使在整个冬季进行了控制性放水，该水库在 2024 年 5 月初的蓄水量仍达到其平均容量的 128%。地表水只是加州水资源的一部分。地下水在一般年份占该州供水量的40%，在干旱年份可占到 60%。根据加利福尼亚州水资源部最近的一份报告，在上一个水年（2022 年 10 月至 2023 年 9 月），管理下的地下水补给为地下水库增加了410 万英亩-英尺（几乎相当于一个沙斯塔湖的水量）的水量。这是自 2019 年以来地下水储量首次出现年度增长。不过，据该机构估计，需要连续五个高于平均水平的水年才能弥补过去二十年的亏空。美国国家航空航天局地球观测站的图像，由 Wanmei Liang 利用美国地质调查局的 Landsat 数据和加利福尼亚州水资源部的地表高程数据制作。编译来源：ScitechDaily 原文：连年干旱已被逆转 卫星拍摄到加州最大水库水域面积的明显反弹

新上线网站专门展示Windows PC游戏的Arm架构兼容性

摘要：微软和许多其他 PC 制造商在本周一正式宣布，计划在基于 Arm 的 Windows 笔记本电脑上全面采用高通公司的 Snapdragon X 系列芯片。它们都将以 Copilot+ PC 品牌销售。在本周的发布会之前，高通公司曾表示，仿真软件可以让大多数 PC 游戏在 Snapdragon X Elite芯片上"正常运行"。现在，一个新的网站"Works on Windows on Arm"被曝光，该网站专门展示采用 Arm 处理器的 Windows PC 是否真的可以玩游戏。 该网站本身的网址是WorksonWoa.com，其数据库中已有 1000 多款游戏。该网站由 Linaro 运营，Linaro 是一家致力于让企业使用基于 ARM 芯片的 PC 的公司。在 Arm、高通和微软的协助下，该公司已经建立了一个 Windows on Arm 开放源代码生态系统 。新网站根据平菇游戏对 Windows for Arm PC 的支持程度将其分为四类：完美、可玩、运行和不可玩。目前，《PUBG：Battlegrounds》、《英雄联盟》和《堡垒之夜》等游戏被列为不可玩。该网站称，这意味着游戏"由于反作弊或其他故障而无法运行"、另一方面，包括Warframe和Vampire Survivors在内的许多游戏在该网站上都被列为"完美"游戏。该网站称，这意味着"完美"游戏在基于 Arm 的 Windows PC 上可以"在 1080p 分辨率下以 60+ FPS 的速度运行，不会出现影响游戏体验的故障/问题"。该网站的说明确实指出，即使游戏被列为可在基于 Arm 的 Windows PC 上运行，也不能"保证游戏一定能运行"。网站补充道：这些结果已经过测试，但可能不适用于您的特定机器和配置。如果结果与您的不同，请将自己的发现贡献给网站。 原文：新上线网站专门展示Windows PC游戏的Arm架构兼容性

三星DRAM迎来关键一战

摘要：在先进工艺陷入沼泽之后，3D DRAM成为了行业的共识。传统的 DRAM 中，晶体管集成在一个平面上。而在3D DRAM中，晶体管堆叠成多层，从而使晶体管分散。采用3D DRAM结构可以加宽晶体管之间的间隙，减少漏电流和干扰。3D DRAM技术打破了内存技术的传统范式。这是一种新颖的存储方法，将存储单元堆叠在逻辑单元之上，从而在单位芯片面积内实现更高的容量。 此前，半导体观察曾经在文章《DRAM，加速走向3D》中，我们对3D DRAM有了广泛的报道，包括各大厂商的布局。最近，三星更是详细披露了公司的3D DRAM规划。在笔者看来，这是决定三星DRAM未来的关键一战。VCT DRAM，16层3D DRAM据韩媒ZDnet报道，三星电子正在努力开发作为下一代DRAM而备受关注的VCT（垂直沟道晶体管）DRAM和3D DRAM。VCT DRAM 计划于明年完成初始产品开发，3D DRAM 正在实施将单元堆叠至 16 层的计划。三星电子副社长日前在“国际内存研讨会（IMW）2024”活动上谈到了该公司的下一代DRAM技术时表示：“超大规模人工智能和按需人工智能等产业发展需要大量的存储器处理能力”，他同时补充道：“另一方面，现有 DRAM 的微处理技术是有限的。”“随着我们越来越接近，预计单元（存储数据的单元）结构将出现新的创新。”具有新单元结构的DRAM可大致分为“4FSquare（4F²）VCT DRAM”和“3D DRAM”。一个 DRAM 单元由一个晶体管和一个电容器组成。晶体管是一种用于电气开关和电压放大的器件。它由源极、栅极和漏极按顺序组成，具体取决于电流流动的方向。位于漏极上方的电容器是暂时存储电荷的装置。为了操作该单元，以棋盘形式布置向栅极端子施加电压的字线(WL)和向漏极端子施加电压的位线(BL)。早期DRAM的单元结构是由4条位线和2条字线组成的8F正方形。然后，从80纳米DRAM开始，应用6F方形（3条位线，2条字线）。随着单元面积的减小，DRAM 集成度和性能可以提高。为了进阶到4F Square，Cell结构必须发生重大变化。现有的DRAM具有水平排列的晶体管，但为了实现4F Square，需要VCT结构将它们垂直排列。Lee副总裁解释说：“许多公司正在努力过渡到4F Square VCT DRAM，”他补充道，“但是，要实现这一目标，必须优先开发氧化物沟道材料和铁电体等新材料。”垂直沟道晶体管 (VCT：vertical channel transistor) 可以是一种 FinFET，其中导电沟道被薄硅“鳍片”包裹，形成器件主体。VCT 也可以是环栅 (GAA) 晶体管，其中栅极材料从所有侧面包围导电沟道。通常，DRAM 采用 3D 晶体管与实现 4F^2 单元设计相关，就制造成本而言，4F^2 单元设计被认为是有史以来最高效的存储单元布局之一。领先的晶圆制造工具制造商Tokyo Electron预计，采用 VCT 和 4F^2 单元设计的 DRAM 将在 2027 年至 2028 年开始出现。该公司认为，制造基于 VCT 的 DRAM；存储器制造商将不得不采用新材料来制造电容器和位线。在分析人士看来，4F Square 设计将利用垂直堆叠将 DRAM 单元尺寸比当今标准 6F Square DRAM 单元结构减小约 30%。4F Square 除了水平更加紧凑之外，还将比其前代产品变得更加节能，但需要极高的制造精度、更好的生产材料以及进一步的研究以使其可扩展和大规模生产。三星的 4F Square 工艺将于 2025 年进行内部发布。垂直 DRAM 堆叠（如 4F Square 和最终真正的 3D DRAM）是 DRAM 容量增加和效率创新的下一步。十多年来，业界一直致力于这个方向，但特别受到3D NAND商业和功能成功的推动，3D NAND 的原理与 NAND 闪存类似。三星于 2013 年首次向市场推出的 3D NAND（三星称之为 V-NAND）将成为 3D DRAM 的灵感来源，但也有一个重大问题。NAND闪存是一种被动供电技术，因此它可以在断电时保存数据，就像手机即使在断电时也可以存储文件一样。这种非易失性存储器与DRAM有很大不同，DRAM是易失性存储器，只有在通电的情况下才能保存数据。DRAM 的易失性使其比 NAND 更快、更可靠，但也使得堆叠 DRAM 层比堆叠 NAND 困难得多，因为更多的功率和数据必须能够在堆叠层上上下移动。为此三星方面表示，三星电子也在开发3D DRAM，目标是在2030年实现商业化。3D DRAM 是一种通过垂直放置位线或字线来垂直堆叠单元的技术。除了新材料之外，DRAM中还必须引入晶圆键合（W2W）技术，即直接将晶圆与晶圆连接起来的技术。三星副总裁表示，“目前开发3D DRAM的主要存储器公司正在研究将单元堆叠至约16层的应用可能性”，并补充道，“据我所知，美国竞争对手也在尝试8层堆叠。”三星的关键一役在笔者看来，对于三星而言，在3D DRAM上能否取得成功，是决定他们未来能否力挽狂澜的关键。根据数据显示，去年第四季度，三星电子在DRAM市场上占有45.5%的份额，拉大了与第二名SK海力士和第三名美光的市场份额差距，证明了其在DRAM市场的优势。然而，正如大家平时所看到，HBM需求的猛增，让SK Hynix找到了超车的机会，这家千年老二的逆袭。根据 TrendForce预测，整个行业到2024年，HBM将占DRAM收入的20.1%，是2023年HBM 8.4%收入份额的两倍多。其中，SK 海力士目前占据HBM 市场约 50% 的份额。SK Hynix同时还和台积电携手，在巩固其HBM市场。由此可见，如果按照这个增长力度往下走，SK Hynix的增长，进一步威胁三星是板上钉钉的事实，这也促使了三星做出了转变。近日，三星任命副董事长Jun Young-hyun为 DS （Device Solutions）部门新任首席执行官。即将离任的部门负责人 Kyung Kye-hyun 被任命为未来业务规划负责人。从形式上看，这是一次洗牌。因为据消息人士称，Kyung 已经辞职是为了对最近的事态发展承担责任，因为数据显示，该部门名为设备解决方案（DS）部门，去年录得 15 万亿韩元的运营亏损，是有史以来最差的业绩。对于 DS 部门的大多数人来说，他的继任者由于时间安排而感到震惊。相关报道指出，新任主管 Jun 在 LG 半导体开始了他的职业生涯，并于 2000 年加入三星的内存业务。他曾担任 DRAM 和 NAND 的开发主管，并负责该业务部门的战略营销。他于 2014 年成为内存业务负责人，并领导该部门直到 2017 年被调任为三星 SDI 首席执行官。今年早些时候，他被任命为未来业务规划主管。其实在这次任命以前，三星DS部门过去一年中曾有过零星的低级高管职位改组。去年 7 月，DS 部门为三星代工任命了一位新的 DRAM 开发主管和一位新的首席技术官。仅仅过了五个月，CTO就在12月再次更换。这些任命被视为领导层对 DS 部门的警告。现在连首席执行官也换了。按照韩媒theelec报道，引致三星这波变动，罪魁祸首可能就是HBM。据报道，三星在 HBM2E 之前的 HBM 市场中处于领先地位。然而，它在 HBM3 领域的市场份额被 SK Hynix 夺走。根据市场追踪机构TrendForce的数据，去年SK海力士占据HBM 53%的市场份额，其次是三星，占38%。美光控制了9%。SK Hynix 的客户有 NVIDIA，而三星的客户有 AMD、Amazon Web Services 和 Rebellion。另一个原因是三星在芯片技术成熟度方面不再领先。该公司在传统存储芯片方面始终领先一代以上。这使得它能够比竞争对手先推出新产品并更快地降低成本。但这个差距也已经缩小。例如，美光在 2021 年领先于三星推出了 10 纳米 (nm) 1a DRAM。在 1b DRAM 方面，三星与两个竞争对手持平。过去，科技巨头在技术方面领先至少一年或一年半。这导致三星去年宣布减少产量。尽管三星执行董事长李在镕此前表示该公司不会降低产量。在代工或代工芯片生产方面，三星已被台积电锁定为亚军。TrendForce表示，第四季度台积电的市场份额为61.2%，而三星则为11.3%。The elec指出，三星最重要的目标是通过 NVIDIA 对 HBM 的质量测试。消息人士称，三星的 8 堆栈 HBM3E 尚未获得 GPU 制造商的批准。英伟达是目前最大的人工智能芯片制造商，因此三星必须确保其成为客户。一位知情人士表示，Kyung 是 NAND 专家，Jun 是 DRAM 专家，Jun 的首要任务将是提高公司的 HBM 能力。当然，新管理层的的第二个任务是为晶圆厂争取一个大客户。三星尚未获得 7 纳米及以下节点先进节点的有意义的客户。英特尔再次加入代工市场，这家美国芯片制造商已经在与三星在该领域的合作伙伴联系。在SK海力士有拉开之势的同时，美光也在紧随其后，大举发力。再考虑到中国国内同行的火力全开。对于三星而言，这场仗看起来不会轻松。 原文：三星DRAM迎来关键一战