超薄的兆芯KX-6000G ITX迷你小板发布：四核3.3GHz、高性能GPU三屏输出

摘要：作为兆芯重要的生态伙伴，专业的工业计算机设计制造公司安勤发布了一款基于兆芯开先KX-6000G处理器平台的Mini-ITX迷你规格的工业主板“EMX-KX60G”，而且是超薄设计。它可以提供紧凑的设计、出色的性能、丰富的功能，非常适合需要可靠高效算力但空间受限的应用，如工业自动化、数字广告牌、便携式终端、物联网计算平台等。 兆芯开先KX-6000G处理器采用四颗x86架构核心，最高频率3.3GHz，集成高性能GPU，搭配VGA、HDMI、LVDS、eDP输出，最多可同时连接三台显示器，还支持高清流媒体解码。同时集成双通道DDR4内存控制器，PCIe 3.0、SATA、USB等高速IO接口，无需额外的芯片组，即可满足整机和主板产品的开发应用需求。按照官方说法，与兆芯上一代产品相比，开先KX-6000G能效比提升多达60％，图形性能提升至4倍，芯片待机功耗降低50％，能效控制表现达到业内先进水平，可用于笔记本、瘦终端、嵌入式工业等各种计算平台。主板采用+12V至+24V直流供电，自带两条DDR4 SO-DIMM插槽，最高容量64GB，存储提供一个M.2 Type B、一个M.2 Key E和两个M.2 Key M插槽，支持千兆或2.5千兆以太网，包含用于工业控制的两个RS232/422/485、四个RS-232端口，并板载TCM 2.0以增强安全性。在此之前，安勤已经成功推出了Mini-ITX、Micro-ATX、COMe等工业计算板卡，以及无风扇Box-PC、工业平板等工业整机产品，可用于工业自动化、电子看板、工业网关、数据采集、轨道交通闸机等。 原文：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435219.htm

《艾尔登法环》DLC IGN10分：量大管饱 应有尽有

摘要：《艾尔登法环》DLC“黄金树幽影”媒体口碑已解禁，IGN给出10分的成绩。FromSoftware表示，“黄金树幽影”是《艾尔登法环》唯一的扩展包，因此幸运的是，很难想象有比它更好的DLC了——只要你不指望它做任何激进的改变。 IGN评分：10分 杰作我喜欢原版游戏的所有元素都被浓缩成一个非常紧凑的扩展包——它本身相当于多个独立游戏的体量，但与《艾尔登法环》本身绝对庞大的世界相比，只能算是“紧凑”。“黄金树幽影”充满了秘密、珍贵的宝藏、富有挑战性的Boss战和可怕的怪物，还有酷炫的新武器、法术、战灰、骨灰、护符等，你可以尽情玩耍，找到更新颖的方式来应对令人难忘的残酷战斗。DLC还为本体添加了一些非常有趣的传说线索，更不用说同样壮观的视觉设计和出色的Boss战音乐，这无疑是我玩过的最好的DLC扩展之一。GameSpot也给出了10分的成绩。 原文：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435220.htm

3D NAND原厂技术比拼 哪家垂直单元效率更高？

摘要：近日，市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、铠侠(西部数据)、YMTC的200层以上的3D NAND Flash进行了对比分析，发现三星的垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是最高的。 传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构，包括控制栅极（Control Gate）和浮动栅极（Float Gate）。通过向单元施加电压，电子在浮动栅极中存储和移除。多年来，供应商将平面 NAND 的单元尺寸从 120nm 缩小到 1xnm 节点，使容量增加了 100 倍。然而，当单元尺寸达到了 14nm 的极限，这意味着该技术不再可扩展，由此NAND原厂纷纷转向3D NAND，以实现超过 2D NAND 结构的数据密度，并能够在更新一代的技术节点上制造。具体来说，平面 NAND 由带有存储单元的水平串组成，而在 3D NAND 中，存储单元串被拉伸、折叠并以“U 形”结构垂直竖立。实际上，这些单元以垂直方式堆叠以缩放密度，因此，3D NAND存储单元有多个层级。3D NAND的层数描述了堆叠在一起的字线（Word Line）数量。在这些字线层上切出一个垂直柱，柱子与每条字线的交点代表一个物理单元。也就是说，每个 3D NAND 存储单元都类似于一个微小的圆柱形结构。每个微小单元由中间的垂直通道和结构内部的电荷层组成，通过施加电压，电子可以进出绝缘电荷存储膜，然后读取信号。平面 NAND 在每个节点上都减小了单元尺寸， 3D NAND 则采用了更宽松的工艺，大约在 30nm 到 50nm 之间。3D NAND 内存容量的扩展主要是通过添加垂直层来实现的，在这种3D NAND结构中，单元密度会随着堆栈中层数的增加而增加。然后，每隔一到两年，供应商就会从一代技术迁移到下一代技术。根据研究数据显示，供应商平均每代 3D NAND 都会增加 30% 至 50% 的层数，而每一代新的芯片将会增加 10% 至 15% 的晶圆成本。这也使得NAND 的每bit成本能够平均以每年约20%幅度降低。现在，超过200层的TLC NAND 产品已经逐渐成为主流，比如三星236层NAND 、SK 海力士 238层NAND、美光 232层NAND 、YMTC 232层NAND。此外还有一些接近200层的厂商，比如铠侠（KIOXIA）和西部数据的 112层/162层NAND 和 Solidigm 的 144层/ 192层 (FG) NAND。Techinsights从 SK 海力士 2TB SSD PC811 HFS002TEM9X152N (设备：H25T3TDG8C-X682) 中提取了 SK 海力士 238L 512 Gb 3D NAND 芯片，该芯片尺寸为 34.56mm2，位密度为 14.81 Gb/mm2。谈到 3D NAND 单元效率，垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 对于 NAND 单元工艺、设计、集成和设备操作而言非常重要。随着堆叠的总栅极数量的增加，单元 VC（vertical cell）孔高度也会增加。为了降低 VC 高度和纵横比，其中一种方法是通过减少虚拟栅极（dummy gates）、通过栅极（passing gates）和选择栅极（select gates）的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以用总栅极中active cell 的百分比来定义，也就是用active WL （Word Line）除以集成的总栅极数来计算。垂直单元效率越高，工艺集成度越高，纵横比越低，整体效率越高。VCE可定义为活跃单元占总栅极的比例，即Active WL 数量除以总集成栅极数量 x 100%。例如，一个NAND串由Active WL、通道WL（含dummy WL）和选择器（源极/漏极）组成。若其包含96个Active WL和总计115个栅极，则VCE为83.5%，计算方法为96/115×100%。VCE越高，对工艺集成越有利，能实现更低的纵横比和更高的生产效率。Techinsights发现，在多代 3D NAND 产品中，三星始终以最高的垂直单元效率领跑行业。他们最新的多层V-NAND 在前几代以高效著称的基础上，拥有令人印象深刻的垂直单元效率。美光和YMTC也在其产品中展示了强劲的垂直单元效率数据，这反映出它们在减少虚拟栅极、通过栅极和选择栅极数量方面取得了显著进步，从而优化了垂直单元效率。△3D NAND 垂直单元效率趋势总结来看，三星每一代产品的VCE都是最高的，比如采用单层结构的128层是94.1%，176层COP V-NAND是92.1%，236层2nd COP V-NAND是94.8% 。YMTC的232层Xtacking 3.0的VCE是91.7%，美光232层是91%。铠侠162层的VCE稍低一些，为88%。SK海力士238层共有259个门，VCE为91.9%，仍然低于三星的236L。 原文：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435216.htm

65岁日本艺术家用Luma“复活”已故11年的妻子

摘要：6月14日，一位65岁的日本艺术家在社交平台上，发布了一个用Luma的Dream Machine制作的视频。视频中，他将自己已逝去11年的妻子，在视频中重新复刻，把冰冷的照片变成了鲜活的影像。视频一经发布，这些温情瞬间触动了无数网友的心弦，不少网友在评论区留言，表示感动到热泪盈眶。 图片来源：XKoya Matsuo（松尾公也）是一位65岁的日本AI艺术家、IT编辑和音乐人，为了纪念他逝去了11年的妻子小鸟酱（Tori-chan），他用Luma的AI视频Dream Machine制作了一段视频，并发布在了社交媒体。图片来源：X该视频引发了许多网友的关注，播放量超过了40万次，不少网友称，“这简直就像是《哈利波特》里的魔法”。视频内容如下：图片来源：X有网友在这条视频下留言，表示AI技术的进步在这些地方得以体现，不禁让人泪目。图片来源：X据外媒报道，2013年6月25日，松尾公也的妻子小鸟酱因乳腺癌不幸逝世。此后，松尾公也陷入对妻子的巨大思念中。每当AI视频和音乐生成工具面世，65岁的松尾就开始疯狂学习，想法设法用它们“复活”妻子。这次Dream Machine爆火，松尾公也在第一时间试用。图片来源：Technoedge他在发表于TECHNOEDGE中的文章里表示：“我使用它的目的并不是为了电影等视频制作，而是用于静态图像，尤其是让人物动起来。更具体地说，是为了看到11年前去世的妻子的动态身影。”松尾公也用1978至1987年间拍摄的胶片照片，通过Remini技术进行高清化处理，再利用Luma Dream Machine转换成视频，实现了让妻子在视频中“复活”的愿望。图片来源：X据他本人介绍，他把妻子高中时的一张照片（拍摄于1978 年）上传到Dream Machine，然后输入提示词：“a girl is talking with her friend on a moving train（在移动的火车上，一个女孩正在与她朋友交谈）”，从而生成视频。照片中的人随着火车的震动而摇晃，窗外的阴影变化也被反映出来了。图片来源：X他还找出妻子的数张照片，先用SD生成图像，然后使用Dream Machine将这些静态画面转化为动态视频。在尝试过程中，松尾公也发现，如果动作太大，比如回头或站起来，视频中的脸部往往会与本人不符。他推测这可能是因为AI的训练数据偏向欧美人。为了解决这个问题，他尝试使用“... is looking at me（某某正在看着我）”或“... is staring at the viewer（某某正凝视着观众）”等提示词，成功生成了视线始终朝向他的视频。这是1985年他们在筑波博览会拍摄的照片。图片来源：X松尾给的提示词是：“a girl is looking at me（一个女孩正在看着我）”，然后，Dream Machine生成了让他每看一次都会心动的视频。图片来源：X为了使作品更加完整，他把妻子保留下来的声音进行取样，利用 Suno的Voiceflex功能作词作曲，最终为妻子生成一条音乐MV：《Can Dream Machine Dream？》,完成了一次跨越时空的音乐与影像的融合。图片来源：X有网友表示：“AI没有温度，但是用AI的人有。” 原文：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435215.htm

华为Mate 70 Pro外观设计首曝：屏幕三挖孔 行业独此一家

摘要：按照华为新机迭代策略，华为Mate 70系列将在下半年登场，这是华为年度重磅机型。最近，有关华为Mate 70系列的爆料逐渐增多，有消息称，华为Mate 70 Pro会采用前置单打孔设计。 对此，数码博主“刹那数码”予以否认，他表示，华为Mate 70 Pro屏幕正面依然是三挖孔设计，与Mate 60 Pro一样，孔位、孔径也与上代一致。虽然打孔不变，但华为Mate 70 Pro的屏幕可能会有更高的屏占比，视觉观感更强。据了解，华为在Mate 60 Pro上首次采用三挖孔设计，也是目前唯一一家采用该方案的手机厂商。华为贴心的在系统设置中加入隐藏挖孔的功能，开启后，挖孔之间会被默认显示黑色，与iPhone的灵动岛有异曲同工之妙。另据爆料，华为Mate 70系列在设计上沿用了圆环镜头模组，但融入新的设计元素，外观更具辨识度和商务感。 原文：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435214.htm

台积电开始为英特尔生产基于3纳米工艺的"Lunar Lake"芯片

摘要：据台湾行业媒体 DigiTimes 报道，台积电已开始在其 3 纳米 EUV FinFET 代工节点上为英特尔量产芯片。英特尔正在使用台积电的 3 纳米节点生产其即将推出的 Core Ultra 300"Lunar Lake"处理器的计算芯片。该公司在 2024 年的 Computex 演示会上深入介绍了"Lunar Lake"。 新的"Lunar Lake"芯片与"Meteor Lake"一样，是组合式的处理器，CPU内核、iGPU、NPU和内存控制器位于一个单一模块上，称为Compute tile，采用3纳米节点制造；而SoC和I/O组件则分解在芯片的另一个模块上，即SoC tile，采用台积电6纳米节点制造。英特尔还没有详细介绍"Arrow Lake"处理器的具体细节，只是提到该处理器将采用与"Moon Lake"处理器相同的"Lion Cove"P核和"Skymont"E核，但采用了大家更熟悉的环形总线配置，即E核集群与P核共享三级缓存（"月湖"处理器不采用这种配置）。"Arrow Lake"还采用了与"Moon Lake"相同的基于 Xe2 图形架构的 iGPU，并将配备符合微软 Copilot+ AI PC 要求的 NPU。前者的神秘之处在于英特尔将以何种方式来组织各种芯片或芯片组。2024 年 2 月的报道提到，英特尔将利用台积电 3 纳米工艺制造"Arrow Lake"的分解图形芯片，但我们现在从"Moon Lake"中了解到，英特尔并不回避让台积电制造其 CPU 内核。首批采用"Moon Lake"的笔记本电脑预计将在 2024 年第三季度上架，"Arrow Lake"z则将在第四季度上市。 原文：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435213.htm