金刚石芯片商用在即 性能优秀成本却高出上万倍

摘要：为了实现去碳化目标，过去几年时间中，行业正在不断追求更高效、更强大的半导体，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等半导体材料的出现与发展，让行业突破了硅的限制，开发出更高效、更可持续的技术，如今这些材料在可再生能源系统、电动汽车和其他减少碳排放的技术中发挥着关键作用。 而在氮化镓和碳化硅之后，金刚石也就是钻石，作为一种新半导体材料闯入了大家的视线当中，并引发了研究人员和行业专家的关注。金刚石以其无与伦比的硬度和亮度而闻名，半个多世纪以来，珠宝首饰是它最广泛也是最有价值的用途，如今它又因自己的特性，在半导体材料中开辟了一番广阔的前景。金刚石芯片，有何优势与现有的半导体材料相比，金刚石主要具有三大优势：热管理、成本/效率优化和二氧化碳减排。在所有传统的功率转换器中，冷却系统都是一个必要的累赘。与大多数半导体材料不同，金刚石的电阻率随温度升高而降低。因此，用这种材料制成的设备在 150 摄氏度（功率设备的典型工作温度）下比在室温下性能更好。虽然必须花费大量精力来冷却暴露在高温下的硅或碳化硅器件，但只需让金刚石在运行过程中找到一个稳定的状态即可。金刚石还是一种良好的散热器。由于散热损耗少、散热能力强且能在高温下工作，用金刚石有源器件制成的转换器可以比基于硅的解决方案轻 5 倍、小 5 倍，比基于碳化硅的解决方案轻 3 倍、小 3 倍。在设计设备和转换器时，必须在系统的能效与成本、尺寸和重量之间做出权衡。金刚石也不例外，但金刚石能在关键参数上为更节能的电动汽车带来价值。如果重点是降低设备成本，那么可以设计出比碳化硅芯片成本低 30% 的金刚石芯片，因为在电气性能和效率相同的情况下，金刚石芯片比同等的碳化硅芯片少消耗 50 倍的金刚石面积，而且热管理更好。如果注重效率，金刚石与碳化硅相比，可将能量损耗降低三倍，芯片体积最多可缩小 4 倍，从而直接节省能耗。如果侧重于系统体积和重量，通过提高开关频率，金刚石器件可将无源元件的体积比基于碳化硅的转换器减少四倍。除了体积上的减少之外，还可以通过缩小散热器来实现。值得一提的是，金刚石还具备极高的绝缘性。衡量不同材料绝缘性好坏的一大重要指标是击穿电场强度，表示材料能承受的最大电压不造成电击穿。作为对比，硅材料的击穿电场强度为0.3 MV/cm左右，SiC为3 MV/cm，GaN为5 MV/cm，而钻石则为10 MV/cm，而且即使是非常薄的钻石切片也具有非常高的电绝缘性，能够抵抗非常高的电压。从具体用途来看，金刚石基板具有优异的导热性，可为高功率 5G 元件（基站、放大器）实现高效散热，确保运行稳定性并防止过热。5G 基础设施的不断推出和对更快数据速度的无限需求，推动了各种 5G 相关设备对金刚石基板的采用。5G 数据流量的指数级增长意味着需要设备能够管理在极高频率下产生的大功率密度。金刚石衬底为这些问题提供了答案。此外，与传统的硅基解决方案相比，金刚石衬底与氮化镓或碳化硅配对，可制造出工作电压更高、频率更高、能效更高的功率器件，电动汽车、用于可再生能源的电源逆变器、工业电机驱动器、大功率激光器和先进电源都是金刚石衬底应用日益广泛的领域。金刚石衬底作为出色的散热器，可以延长这些设备的使用寿命和可靠性。而随着向更清洁能源的过渡和汽车电气化进程的加快，金刚石衬底也将发挥至关重要的作用。尽量减少功率转换过程中的能量损耗可以提高整体效率，这是电动汽车和可持续电网的一个重要方面。金刚石基底能够设计出更紧凑、重量更轻的电力电子器件，这对电动汽车等空间受限的应用至关重要。国外的Virtuemarket的数据指出，2023年全球金刚石半导体基材市场价值为1.51亿美元，预计到2030年底市场规模将达到3.42亿美元。在2024-2030年的预测期内，该市场预计将以复合年增长率增长12.3%。其认为，在中国、日本和韩国等国家电子和半导体行业不断增长的需求的推动下，亚太地区预计将主导金刚石半导体衬底市场，到 2023 年将占全球收入份额的 40% 以上。金刚石芯片，面临挑战当然，性能如此优秀的半导体材料，在其他方面不免受到一些限制。首先就是成本。与硅相比，碳化硅的成本是其 30 到 40 倍，而氮化镓的成本是其 650 到 1300 倍。用于半导体研究的合成金刚石材料的价格约为硅的 10000 倍。另一个问题是金刚石晶片尺寸太小，市场上最大的金刚石晶片尺寸还不到 10 平方毫米。使用离子注入法掺杂这种材料很困难，而且这种材料的电荷载流子活化效率在室温下会降低。为了解决生产应用方面的问题，不少公司都在努力攻关金刚石量产的相关技术。2023年初，日本佐贺大学与日本Orbray共同合作开发了金刚石制成的功率半导体，他们在蓝宝石衬底上制成2英寸的单晶圆，2023年10月，美国的Diamond Foundry于成功制造出了世界上第一块单晶钻石晶圆，直径约4英寸。除了上述两家公司外，位于法国格勒诺布尔的半导体金刚石初创公司Diamfab也在为了金刚石芯片的技术而不断努力。今年3月，该公司宣布获得870万欧元的首轮融资。这笔资金来自Asterion Ventures、法国政府代表法国政府管理的法国科技种子基金（法国2030的一部分）、Kreaxi与Avenir Industrie Auvergne-Rhône-Alpes地区基金、Better Angle、Hello Tomorrow和格勒诺布尔阿尔卑斯大区。Diamfab 是法国国家科学研究中心（CNRS）实验室奈尔研究所（Institut Néel）的衍生产品，也是 30 年来合成金刚石生长研发的成果。Diamfab 项目最初在格勒诺布尔阿尔卑斯 SATT Linksium 进行孵化，该公司于 2019 年 3 月成立，由两位纳米电子学博士和半导体金刚石领域公认的研究人员 Gauthier Chicot 和 Khaled Driche 创办。Diamfab表示，为了满足汽车、可再生能源和量子产业的半导体和功率元件市场需求，公司在合成金刚石的外延和掺杂领域开发出了突破性技术。其在合成金刚石的外延和掺杂领域开发出了突破性技术，并拥有四项专利，其专长在于薄金刚石层的生长和掺杂，以及金刚石电子元件的设计。第一轮融资将使 Diamfab 能够建立一条试验生产线，对其技术进行工业化前处理，加速其发展，从而满足对金刚石半导体日益增长的需求。Diamfab此前已经申请了全金刚石电容器的专利，并正在与该领域的领先企业合作， Diamfab 首席执行官 Gauthier Chicot 说道：“在其他参数中，我们已经实现了我们的目标：超过 1000A/cm2 的高电流密度和大于 7.7MV/cm 的击穿电场。这些是未来设备性能的关键参数，并且已经优于 SiC 等现有材料为电力电子设备提供的参数。此外，我们有一个明确的路线图，到 2025 年实现 4 英寸晶圆，作为大规模生产的关键推动因素。”“在过去的两年中，我们在与研发团队合作加工高附加值金刚石晶片方面取得了重大进展。现在，我们基于双重业务模式的应用导向方法将使我们能够与更广泛的工业合作伙伴合作，开发和销售高附加值金刚石晶片和我们的专利金刚石设备制造工艺，同时还能以轻型工厂模式直接向最终用户销售产品，”Chicot 说。“在像我们这样的尖端产业的发展过程中，每个阶段都至关重要。试点项目将促进我们与合作伙伴的许多讨论，并加强我们之间的关系。与致力于该行业和气候的投资者合作，最重要的是他们了解该行业的制约因素和联系，这一点至关重要，” Chicot表示。“我们开发的技术可以大大减少半导体的历史碳足迹，并通过转移欧洲的关键产业来实现这一目标，这也是我们与 Asterion 合作的投资重点之一，”负责此次交易的 Asterion Ventures 合伙人 Charles-Henry Choel 解释说，“工业深度技术公司需要冷静、长期的支持，而这正是我们所能提供的。”无独有偶，美国的Advent Diamond也是这样一家致力于将金刚石半导体材料量产的初创公司，今年4月，该公司接受了EE Times 采访，披露了自己在这一方面的进展。据了解，Advent Diamond 公司的核心创新之一是在首选基底上生长单晶掺磷金刚石的能力，它是美国唯一一家拥有这种能力的公司。掺磷技术的意义尤其重大，因为它能在金刚石中制造出 n 型半导体，而这正是电子设备开发的关键要素。此外，Advent Diamond 公司在大面积生长掺硼金刚石层方面也取得了里程碑式的进展，拓展了基于金刚石的电子产品的潜在应用领域。Advent Diamond的专业技术不仅限于材料生长，还包括全面的元件设计、制造和表征能力。这包括蚀刻、光刻和金属化等先进的洁净室工艺，以及显微镜、椭偏仪和电学测量等一整套表征技术。Advent Diamond表示，自己利用这种尖端生长技术，开发出了杂质浓度极低的本征金刚石层，确保了半导体级金刚石材料的最高质量和性能标准。Advent Diamond 联合创始人兼首席执行官 Manpuneet Benipal表示，Advent Diamond正在开发的创新型金刚石辐射探测器为国防、商业和科学市场提供了变革性的解决方案。通过利用掺杂和本征半导体金刚石层，这些探测器在探测高能粒子辐射方面具有卓越的辐射硬度和噪声抑制能力。这些探测器用途广泛，从紫外线和阿尔法粒子到 X 射线和质子，彰显了Advent Diamond的技术实力。Benipal指出，目前Advent Diamond已有 1 到 2 英寸的镶嵌金刚石晶片，并正在努力将晶片尺寸扩大到 4 英寸。然而，缺陷密度仍然是一个关键问题，大多数晶片的缺陷约为 108个/平方厘米或更高。他表示，必须将缺陷降低到 103缺陷/平方厘米，才能实现预期性能。为了应对这些挑战，有关机构正在资助可扩展的金刚石技术项目，强调开发高质量的材料和先进的半导体器件。在全球范围内，研究小组正致力于改进二极管、晶体管和集成电路等金刚石器件结构。这项合作旨在推动金刚石半导体进入主流应用领域，提高关键领域的性能和可靠性。“Advent Diamond 正在引领成熟的掺杂 [p 型和 n 型] 和本征金刚石材料层的开发，以及由这些优质金刚石层制成的组件/设备，用于电气化、电信和量子技术的应用，” Manpuneet Benipal说，“金刚石表现出卓越的电气和材料特性，超越了 GaN 和 SiC，我们的目标是将这些特性转化为卓越的半导体器件性能。我们的愿景是将具有无与伦比的规格和性能的金刚石半导体器件引入商业市场，刺激电气化、电信和量子应用领域的创新。我们特别重视表面处理，例如反应离子蚀刻和与金刚石兼容的化学机械抛光，以减少缺陷、增强界面、提高均匀性和结晶度，并在不同厚度的掺杂和本征金刚石层中保持受控的掺杂浓度。这种方法可确保创建高性能的金刚石半导体器件、辐射传感器和量子材料/器件，以供广泛的商业应用。Advent Diamond 有望成为第一个将金刚石 RF 二极管和其他突破性半导体器件推向市场的公司。”在美国，还有一家名为Akhan Semiconductor的公司也在致力于金刚石半导体材料的研发，其成立于2007年，早在2013年左右就获得了美国能源部阿贡国家实验室开发的突破性低温金刚石沉积技术的独家金刚石半导体应用许可权。这项技术可以在低至 400 摄氏度的温度下在各种晶片基底材料上沉积纳米晶金刚石。来自阿贡的低温金刚石技术与 Akhan 的 Miraj Diamond 工艺相结合，打破了半导体行业中金刚石薄膜的使用仅限于 p 型掺杂的障碍。Akhan在后续正式宣布了自己的Miraj Diamond平台，它开发了一种申请专利的新工艺，其中在硅上创建 n 型金刚石材料，具有以前未证实的特性，例如 250 meV(a) 的浅电离能、高载流子迁移率（纳米晶金刚石薄膜中大于 1000 cm2/Vs）、无石墨相以及低压大电流二极管器件应用中先前未证实的性能（+2V 正向偏压时电流密度为 900(b) A/mm2）。2021年8月，Akhan又宣布开发出首款将 CMOS 硅与金刚石基板结合在一起的 300 毫米（12 英寸）晶圆，取得了阶段性的里程碑。Akhan的创始人兼首席执行官Adam Khan在今年1月成立了新公司Diamond Quanta，该公司专注于半导体领域，目的是利用金刚石的优异特性为电力电子和量子光子设备提供先进的解决方案。Diamond Quanta在5月宣布，其拥有的“统一金刚石框架”有利于真正的取代掺杂。这项创新技术将新元素无缝地融入钻石的结构中，赋予钻石新的特性，同时又不破坏其晶体完整性。因此，金刚石（一种传统上以其绝缘特性而闻名的材料）已转变为能够支持负（n 型）和正（p 型）电荷载流子的高性能半导体。这种迁移率水平表明金刚石晶格非常干净、有序，并且由于成功实施了减轻载流子传输缺陷影响的共掺杂策略，散射中心得到了有效钝化。此外，掺杂过程通过修正位错来细化现有的金刚石结构，从而提高材料的导电性。这些进步不仅保留而且增强了金刚石结构，避免了常见的缺陷，例如明显的晶格畸变或引入通常会降低迁移率的陷阱态。“启动 Diamond Quanta 并开发这种先进的掺杂工艺是必要的。电子、汽车、航空航天、能源等行业一直在寻找一种半导体技术，能够应对其技术扩张不断变化的需求所带来的日益增长的压力。”Diamond Quanta 创始人兼首席执行官 Adam Khan 说道。“我们的技术不仅仅为寻求提高半导体效率的行业提供替代材料；我们正在推出一种全新材料，它将重新定义性能、耐用性和效率的标准，它将在无缝地为现代时代日益沉重的负载提供动力方面发挥不可或缺的作用。”写在最后与国外相比，虽然目前国内的金刚石产量较高，但在功能性应用的领域，尤其是对金刚石材料的开发，还处在较为落后的阶段。西安电子科技大学芜湖研究院副院长王东曾在报告中提到，国内金刚石发展大而不强，在高端装备、电子级材料等众多领域处于落后。在CVD金刚石研究领域，从专利分布来看，美国、欧洲、日本的研究处于领先地位，我国发展相对缓慢，原创性研究偏少。即便是国外，在量产商用这一材料上也还有很多的路要走，但我们相信，在各方的共同推动下，具备各种优异特性的金刚石材料在未来会得到进一步发展，帮助半导体材料领域迈出至关重要的一步。 原文：金刚石芯片商用在即 性能优秀成本却高出上万倍

丰田展示了一款面向电动化时代的新型燃料发动机

摘要：5月28日，斯巴鲁大崎笃、丰田佐藤恒治和马自达毛笼胜弘，这三位2023年正式履新的日本车企一把手齐聚东京，共同发布了电动化领域的最新规划和战略部署。丰田此次展示的是一款面向电动化时代的新型发动机，可使用液态氢、合成燃料以及生物燃料。丰田表示，发动机很快就能量产，但没有给出具体“上车”的时间表。 此外，丰田还重申了多元化的转型战略，技术路线不局限于纯电动汽车。丰田社长佐藤恒治认为，日本有自己的碳中和模式，除了纯电动，“发动机重生”也是重要途径。越来越多的跨国巨头，选择在产品阵容中重新押宝插混，像丰田这样的制造商，也开始慢慢调整新能源赛道的方向。在纯电动全面普及之前，丰田将混合动力视为“更现实的解决方案”，鼓足干劲，与世界范围内的强劲对手竞争。“我们对电动车很认真，对内燃机也很认真。” 佐藤恒治介绍说，新的发动机直列四缸，有1.5L和2.0L两个排量，目标是高功率和高热效率。与相同排量的传统产品相比，体积和高度均减少了10%，燃油效率提高12%。目前，丰田持有斯巴鲁20%的股份，以及马自达5%的股份，三家车企一起召开全球发布会，有共同的战略考量。斯巴鲁计划推出全新水平对置发动机，振动小、重心低，适合跑车。马自达则计划推出新转子发动机，体积小、重量轻、功率高，方便使用多样化的碳中和燃料。“我们都认识到，敌人是碳。”马自达发言人表示，电动化转型将是渐进的，而非突飞猛进。在这样的现实背景下，过渡阶段的当务之急，是推出有助于碳中和的发动机。这一思路，最早由丰田董事长田章男提出。他坚持认为，纯电动只是碳中和的途径之一，不能忽视其它燃油渠道的重要作用。值得一提的是，和传统发动机不同，上述三家车企研发的新一代发动机，以结合电气化车型为直接目的。丰田表示，在减少二氧化碳总排放方面，发动机仍然有强大生命力。新发动机可采用合成燃料e-fuel以及生物燃料等，最终目标，是达成碳中和。马自达社长毛笼胜弘也透露，电动化时代，公司将赋予转子发动机新的价值。当下，从制造原材料到车辆使用、维护、废弃等整个生命周期的环境负荷，混动明显比纯电更有优势。”面对纯电动增速的放缓，日本制造商开始审视更接地气的解决方案，丰田认为，混动车型将在2035年之前扮演至关重要的市场角色。丰田CTO中嶋裕树则在上个月的北京车展表态，称丰田一定会做插混，这意味着原本在二楼（HEV）如鱼得水的丰田，不仅打算奔向四楼（BEV），也不会跳过三楼（PHEV）。过去一年，已经有越来越多的汽车制造，选择放缓纯电产品的发布进程。福特已修改“2030年在欧洲实现全线产品纯电化”的思路，2030年后仍将为客户提供混合动力车型。通用汽车去年表示，推迟在密歇根州开设第二家电动卡车工厂的计划，且将电动皮卡产能的扩充时间推迟到2025年底。在大家最为关注的中国市场，混动车型的增长尤为强劲。根据中国汽车工业协会的数据，2023年我国新能源混合动力汽车销量约280万辆，同比增长逾84%。在丰田看来，混合动力车型不仅有助于减少排放，还可以刺激销售和利润，从而良性循环，继续投资电气化转型。在上一财年，由于混动车型的销量激增，丰田营收与利润均飙升至创纪录的水平。2023财年，丰田营业利润首次突破5万亿日元，净利润增长了一倍多。这一成绩，让丰田再次登顶全球车企盈利之首，也超过中国目前排名前十车企利润的总和。 原文：丰田展示了一款面向电动化时代的新型燃料发动机

骁龙X Elite笔记本将支持微软自动超级分辨率 但该功能并非高通SoC机型独有

摘要：高通公司的骁龙X Elite芯片将支持微软的自动超级分辨率（Auto SR）提升技术，使芯片组的图形处理器在运行各种游戏中提供更好的帧率。然而，那些认为该功能将仅限于搭载该芯片的机器的人的假设是错误的。微软的"自动超级分辨率"确实将适用于搭载骁龙 X Elite 的各种笔记本电脑，但它并不是该芯片的独有功能。 不过，在英特尔和 AMD 系统实现兼容之前，自动超级分辨率确实暂时只适用于 Snapdragon X Elite。高通公司发言人 Macey Davis 对此表示，"自动超级分辨率"是微软开发的一项功能，而非芯片组制造商。这意味着，从技术上讲，它并不是骁龙 X Elite 的独有功能，但就目前而言，Auto SR技术可以在该平台上运行。"'独家'的说法实际上是指目前可用的技术，因此如果有其他技术可以达到微软的性能门槛，这种说法将不再适用。由于自动超级分辨率（Auto SR）与 Copilot+ PC 上的 Windows 集成，因此高通公司是目前唯一一家可以独家运行该技术的公司。"任何带有"Copilot + PC"品牌标记的电脑都可以运行微软的自动超级分辨率功能，在现阶段，这只是高通公司的骁龙 X Elite（得益于其内置的 Hexagon NPU）。遗憾的是，目前还没有关于其它处理器可以利用这项技术的消息。英特尔和 AMD 可能会推出配备更快 NPU 的下一代 CPU，这意味着这些芯片应该可以随意切换自动超级分辨率。我们曾报道过，英特尔的 Lunar Lake 系列处理器的NPU 性能将提高40%，与 GPU 的配对性能将达到 105 TOPS。不过，即使骁龙 X Elite 是唯一支持自动超级分辨率的平台，预计该芯片组很快就会在这一领域面临竞争。据报道，英伟达（NVIDIA）正在准备一款新的PC芯片，采用 Cortex-X5 配置，同时在单个封装上配备 Blackwell RTX GPU 和 LPDDR6 内存，图形处理器可能支持新版 DLSS，这将大大提高 FPS 表现。 原文：骁龙X Elite笔记本将支持微软自动超级分辨率 但该功能并非高通SoC机型独有

三星 Galaxy Watch Ultra 通过认证 商品名称已确认

摘要：昨天有传言称三星将推出Galaxy Watch X，这是一款旨在与Apple Watch Ultra 2 直接竞争的可穿戴设备。这款产品此前在另一则传闻中被称为Galaxy Watch7 Ultra。 现在看来，它不会叫这两个名字了，三星选择了 Galaxy Watch Ultra。正如你在下面的截图中看到的那样，这已经通过阿联酋的 TDRA 认证程序揭晓。Galaxy Watch Ultra 的型号为 SM-L705F，该机型支持蜂窝网络连接。从 FCC 列表中可以看出，它将支持 10W 充电。据称，Watch Ultra 将采用蜗形磨砂表壳设计，配备 1.5 英寸圆形屏幕和旋转表圈。右侧边缘将有三个按钮，左侧边缘有一个大型扬声器格栅。据传，它将支持 10ATM/100 米防水和 100 小时电池续航。这将是 Wear OS 的一次飞跃--迄今为止，我们从三星那里看到的最好成绩是Galaxy Watch5 Pro 号称的 80 小时电池续航时间。另外，Galaxy Watch Ultra 将配备额定容量为 578 毫安时的电池，但最终很可能以 600 毫安时的容量上市。它将搭载全新的 Exynos W1000 SoC，并将于 7 月份与Galaxy Z Fold6、Galaxy Z Flip6、Galaxy Watch7系列、Galaxy WatchFE / Galaxy Watch4 2024 和 Galaxy Ring 一起正式发布。 原文：三星 Galaxy Watch Ultra 通过认证 商品名称已确认

长达2500页的大量Google API文档遭泄露 揭示了秘密的搜索排名算法

摘要：只有Google才知道它在考虑搜索排名系统时会考虑哪些因素。现在，我们可能有了答案，因为该公司的内部文件已在网上泄露。除了分享指导原则和朦胧的细节之外，Google并没有让用户确切地知道他们的网页需要什么才能获得更高的排名，这可能是出于好意，因为每个人都朝着同一个方向跑的话就会破坏整个系统的运作，Google尚未对此发表评论。 Google无意中在网上公布了这份文件，来自一家名为 SparkToro 的软件公司的兰德-菲什金（Rand Fishkin）分享了这份文件。拥有搜索引擎优化经验的 Fishkin 表示，该领域的每个人都应该看看这份文件。虽然这份文件是由Google自己发布的，但这似乎是一次意外，而不是为了更好地了解搜索算法而刻意采取的行动。这份名为"Google API 内容仓库"的文件包含与内部 API 相关的信息，并解释了哪些因素和组件会影响搜索结果。这显然意味着该文件基本上就是Google排名的作弊指南，但它并不像看上去那么简单。整份文件共长达 2500 页，其中一些内容较早，而另一些内容则较新。用户还可以从Google泄露的文件中大致了解哪些有效，哪些无效，详细说明哪些因素对搜索排名至关重要。3 月 27 日，Google错误地在 GitHub 上提供了这份文件，当它获得足够的关注度后，于 5 月 7 日被撤回或删除。不过，由于索引是由第三方服务进行的，因此泄露的Google文件副本仍然可用。需要注意的是，文件中的信息对搜索引擎优化或数字营销领域的从业者可能很有价值，但它并没有分享哪些因素比其他因素更重要。对于从事相关工作的人来说，所有方面都可能很重要，也可能根本不重要，因为没有关于驱动搜索的最重要因素的信息。搜索引擎优化行业的从业者还声称，Google的一些声明与文件中的内容相矛盾，例如域名授权，以及它如何对搜索结果产生影响。如前所述，该公司尚未就泄露文件发表声明。Google在三月份发布了搜索大更新，将"有帮助"的内容置于标准之上。算法的基本运作方式是判断和确定网站上的特定页面是为了迎合搜索引擎还是为了迎合人们。Fishkin 的发现分享了文件的详细信息和主要内容，从事SEO工作的朋友们请务必查看：https://sparktoro.com/blog/an-anonymous-source-shared-thousands-of-leaked-google-search-api-documents-with-me-everyone-in-seo-should-see-them/ 原文：长达2500页的大量Google API文档遭泄露 揭示了秘密的搜索排名算法

爱因斯坦神预言成真 物理学家首次证实黑洞周围存在“暴跌区域”

摘要：爱因斯坦基于相对论的种种预言一再得到证实，最近牛津大学领导的科学家团队又一次验证了爱因斯坦关于黑洞的一个关键预测，即黑洞周围的“暴跌区域”。爱因斯坦认为，当粒子或物质距离黑洞足够近的时候，运行轨道将不再是圆形或椭圆形，而是会以接近光速的超高速度，直接冲向黑洞，这个区域就是所谓的“暴跌区域”。 几十年来，天文物理学家一直争论这个特殊的区域是否存在。牛津大学的理论物理学家Andrew Mummery领衔团队将目光投向了1万光年之外MAXI J1820+070星系中的巨型黑洞，其质量相当于8.5个太阳，不断从其伴星中吸积物质，并辐射出X射线。2018年的时候，这个黑洞出现了一次爆发，并被检测到无法解释的闪光。之前就有猜测认为，这个闪光可能来自黑洞最内侧的圆形轨道区域，也就是传说中的“暴跌区域”，但缺乏证据。Mummery团队对这个闪光深入研究后发现，它与模型模拟的辐射结果一致，成为“暴跌区域”真实存在的铁证，也让我们得以探测到黑洞事件视界外侧区域的极端引力环境。这也是首次观察到从恒星外缘剥离的等离子体是如何最终落入黑洞中心的。 原文：爱因斯坦神预言成真 物理学家首次证实黑洞周围存在“暴跌区域”